כאשר מכווצים מעבד, לדוגמה מ90nm ל65nm פוחתת צריכת החשמל ופליטת החום וגם עלויות הייצור פוחתות.
בעתיד של אינטל מדובר על כווץ ל45nm (ב2008) ובעתיד היותר רחוק, ל32nm.
אני לא בטוח שזה קשור אבל, הDUV ב193nm שנפלט מהמעבדים כיום יגמור את תפקידו ויפלט EUV ב13.4nm. (זה קרינה אלקטרו-מגנטית, לא?)
זה עפ"י הכתבה הזו: http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=2649

קיצר, לשאלה.
עד כמה היצרניות יוכלו לכווץ את המעבדים שלהן?
ידוע שהCACHE זה דבר יקר לייצר, גם אותו ניתן לכווץ? בכמה ננו הוא מיוצר?
תודה מראש.

https://www.youtube.com/watch?v=0HRGczvZINQ&noembed

אבל אני משאר שטרנזיסטור אחד יהיה מינימום בגודל של 4 אטומים. וזה בערך המקסימום שאפשר לכווץ. אני משאר שיותר מזה פשוט יעברו למעבדים בשיטות אחרות עם חומרי הולכה אחרים ...

טרנזיסטור?...

מנהל פורום חומרה

The only certainty in life is that there are no certainties.

אלו אינן קרינות שנפלטות מהמעבד, אלא קרינה בתחומים שונים של אולטרא-סגול (Ultra Violet - UV), שמשמשת בתהליך ייצור המעבד ליצירת הטרנסזיטורים על השבב.
כדי ליצור טרנזיטורים בגדלים של 32 ננומטר יש צורך בשימוש בקרינה עם אורך גל נמוך במיוחד של 13.4 ננומטר (EUV), כיוון שלא ניתן עוד להשתמש בשיטת ה DUV.

הראל