TSMC מוכנה לתחילת ייצור ב 45 ננו מטר בחודש 9


[התמונה הבאה מגיעה מקישור שלא מתחיל ב https ולכן לא הוטמעה בדף כדי לשמור על https תקין: http://images.dailytech.com/frontpage/fp__fp__fp__wafer_small.jpg]


Taiwan Semiconductor Manufacturing Company הודיעה היום על מוכנות החברה לתחילת ייצור
ב 45 ננו מטר בחודש 9. ייצור מוצרים המבוססים על תהליך הייצור החדש ייחל בחודש 9. TSMC מציינת את
צריכת החשמל הנמוכה כמתאימה במיוחד להתקני מחשב ניידים ומערכות על מעבד/שבב.

"עם פתרונות ייצור ב 45 ננו מטר מוכנים לתחילת ייצור ב 45 ננו מטר בחודש 9, TSMC מספקת טכנולוגיה
מהדור הבא מוקדם ככל האפשר", אמר ד"ר Rick Tsai, מנכ"ל ונשיא החברה.

TSMC איננו המפעל היחיד המיועד לייצר מעבדים מבוססי 45 ננו מטר. מעבד הדור הבא של אינטל, ה Penryn
יעשה שימוש בשערי טרנזיסטור מתכתיים וחומרים עם קבוע דיאלקטרי גבוה ובתהליך ייצור של 45 ננו מטר. אינטל
צופה תחילת ייצור מעבדי זיאון ב 45 ננו מטר במחצית השניה של 2007, כאשר משלוחים יחלו ברבע הראשון
של 2008. ה Penryn של אינטל כבר נשלח לייצור נסיוני ראשון ("taped out").

הייצור ב 45 ננו מטר של אינטל צפוי להתחיל במפעל D1D באורגון כאשר אחריו ב 2008 ייכנסו לייצור המפעלים
בניו מקסיקו, Arizona ובישראל. AMD מצפה להשיק את מעבדי האופטרון מבוססי ליבת shanghai ב 45 ננו מטר
ב 2008. גם AMD ו IBM הודיעו בעבר על ייצור של 45 ננו מטר עם חומרים בעלי קבוע דיאלקטרי גבוה.

TSMC השיקה לא מזמן את מוצר ה 65 ננו מטר eDRAM הראשון שלה, מעבד ה GoForce 5300 של חברת
nvidia (מיועד למחשבי כף יד). UMC יריבתה של TSMC, הציגה רכיבי זכרון SRAM ב 45 ננו מטר (שלב ראשון
בהוכחת יכולת ייצור בתהליך מסוים) מאוחר ב 2006. אולם ייצור ב 45 ננו מטר עדיין לא החל, TSMC מפתחת כעת
תהליך ייצור עבור 32 ננו מטר.

מקור: dailytech
http://www.dailytech.com/article.aspx?newsid=6857

TSMC היא יצרנית המעבדים הגרפיים מהדור האחרון עבור nVidia ו AMD, אפשר להתחיל לפנטז על מעבדי
R600 ו G80 ב 45 ננו מטר, כמובן שכרגע הם עדיין מיוצרים ב 90 ו 80 ננו מטר אלא אם כן AMD ו TSMC
מכינות לנו הפתעה נחמדה מאוד ו ה R600 יהיה מעבד של 65 ננו מטר כמו שאר המעבדים מאותה סדרה.

ליכוד אחד גדול מול מוטרפי השמאל