שלום רב!

השרטוט המצורף כולל: מקור מתח ישר של 3 וולט, נגד טורי של 100 קילואוהם וטת"ש בעל שער מבודד
(mosfet).
לפי מיטב הבנתי, את זרם השפך (id) קובע מתח השער-מקור (vgs).
במעגל המתואר למטה תפקידו של הטת"ש הוא כרכיב מיתוג.

שאלתי היא: האם הטת"ש קובע את זרם החוג בהתאם לרמה הלוגית המסופקת לשער (gate) או שמא גם הנגד?
במידה והטת"ש אחראי לכך, מה קורה בכל אחד מהמצבים ('1' / '0')?

תודה...ליאור

אלה שני טרנזיסטורים שונים, ואתה צריך להחליט באיזה אתה משתמש.
אם לצאת מנקודת הנחה שהתכוונת ל- N-CHannel Enhanced Mode MOSFET, אז :

הטרנס' קובע את הזרם דרכו, בהתאם למתח בשער שלו יחסית לאדמה, או לנקודה המשותפת, תלוי במעגל.
הזרם יכול להיות מוגבל ע"י הנגד הטורי, ואז הזרם המירבי שיכול לזרום הוא מתח המקור חלקי ערך הנגד הטורי.
אם להיסתמך על האופיין, אז בכניסת השער 3.3 וולט, הטרנזיטור מוליך, והזרם יהיה 30 מיקרואמפר בחוג. במתח שער 0 וולט, שוב לפי האופיין, הזרם יהיה זרם אפסי כי הטרנס' קטוע.

כל זאת ,שוב, בהנחה שמדובר ב- N-CHannel ולא P-Channel.
אם אתה לא יודע, תרשום את השם של הטרנס', וניתן יהיה לקרוא בדפי נתונים.

אני אשאל את זה בצורה אחרת....

בטת"ש מסוג mosfet
n-channel

לפי מיטב הבנתי, idss הוא הזרם המקסימלי שיכול לזרום דרך התעלה
האם במצב רוויה זרם התעלה הוא idss או שהוא נקבע ע"י הנגד?

ציטוט:

במקור נכתב על ידי L.A20 לפי מיטב הבנתי, idss הוא הזרם המקסימלי שיכול לזרום דרך התעלה האם במצב רוויה זרם התעלה הוא idss או שהוא נקבע ע"י הנגד?01-03-2006 12:28

IDSS הוא הזרם המקסימלי שיכול, כפי שכתבת. מעבר לזרם הזה, היצרן לא ממליץ להפעיל את הטרנס' מחשש שיישרף. לכן, כדי למנוע ממנו להישרף, מחברים נגד שיגביל את הזרם. אסור שיזרום דרך הטרנס' יותר מ- IDSS, במילים אחרות.

אוקיי תודה רבה...ליאור