15-06-2011, 18:20
|
מנהל
|
|
חבר מתאריך: 26.07.08
הודעות: 6,473
|
|
השפעת רעשים על טרמינל Source צף של MOS
יצא לי לראות חיבור כזה של שני MOS:
(אני לא סגור מה נמצא ב-gate, כנראה driver)
אני מניח שאם לא היה קיים רעש בכלל, אפשר להניח שהמתח ב-source שווה לכחצי Vin.
האם כששני ה-fet בנתק - הרעש שקיים ב-source לא משפיע?
השתמשתי בנוסחא הבאה (נלקחה מהעמוד http://en.wikipedia.org/wiki/Noise_%28electronics%29):
ויצא:
קוד:
>>> ( 4 * 1.3806488E-23 * 273.15 * 0.5E9 * 1E9 ) ** 0.5
0.086847477766484382
>>> ( 4 * 1.3806488E-23 * 273.15 * 0.5E9 * 1E3 ) ** 0.5
8.6847477766484378e-05
הדבר היחיד ששונה בין שני החישובים הנ"ל זה רוחב הפס:
בראשון זה 1GHz, בשני 1KHz. אני לא בטוח איזה לשים...
אני יודע שחסרים הרבה נתונים כמו תכונות הטרנז' , מתח כניסה שכנראה גם משפיע, והמעגל
המחובר ל-gate, אבל אם אפשר בבקשה לקבל תשובה בהסתמך על מקרה דומה שמוכר לכם.
|